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功率模块封装结构 

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申请/专利权人:财团法人工业技术研究院

摘要:本发明公开一种功率模块封装结构,其包括第一基板以及功率组件。第一基板包括位于其表面上的至少一导电层。功率组件包括第一芯片以及第一间隔件。第一芯片具有至少一电极。第一间隔件位于第一基板和第一芯片之间的散热空间并包括绝缘散热层以及多个垂直导电连接件。绝缘散热层位于散热空间内。每一垂直导电连接件贯穿绝缘散热层。绝缘散热层围绕垂直导电连接件和电性隔离垂直导电连接件。垂直导电连接件包括相对的二端,一端电连接导电层,另一端电连接电极,以构成第一芯片与第一基板之间的导电路径与散热路径。

主权项:1.一种功率模块封装结构,其特征在于,包括:第一基板,包括表面及位于所述表面上的至少一导电层;以及功率组件,包括第一芯片及第一间隔件,所述第一芯片具有至少一电极,所述第一间隔件位于所述第一基板和所述第一芯片之间的散热空间,并包括:绝缘散热层,位于所述散热空间内;以及多个垂直导电连接件,其中每一所述垂直导电连接件贯穿所述绝缘散热层,所述绝缘散热层围绕所述垂直导电连接件和电性隔离所述垂直导电连接件,且所述垂直导电连接件包括相对的二端,一端电连接所述导电层,另一端电连接所述电极,以构成所述第一芯片与所述第一基板之间的导电路径与散热路径。

全文数据:

权利要求:

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