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申请/专利权人:北京中科新微特科技开发股份有限公司
摘要:本申请涉及一种半导体器件,半导体器件包括外延层和源极结构。外延层包括掺杂区,掺杂区由外延层的一侧表面向外延层内掺杂形成,掺杂区包括第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区,第一掺杂区为第一导电类型,第二掺杂区和第三掺杂区均为第二导电类型,第一掺杂区和第二掺杂区沿垂直于厚度方向并排设置,第一掺杂区包括多个第一掺杂部,多个第一掺杂部中的至少部分与第二掺杂区接触设置,第三掺杂区包括主体区和第二掺杂部,主体区包覆第一掺杂区设置,相邻两个第一掺杂部之间设有第二掺杂部;源极结构,位于外延层靠近掺杂区一侧的表面,源极结构与第二掺杂部以及部分第一掺杂部抵接设置。本申请能够提高半导体器件的耐短路性能。
主权项:1.一种半导体器件,其特征在于,包括:外延层,包括掺杂区,所述掺杂区由所述外延层的一侧表面向所述外延层内掺杂形成,所述掺杂区包括第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区,所述第一掺杂区为第一导电类型,所述第二掺杂区和所述第三掺杂区均为第二导电类型,所述第一掺杂区和所述第二掺杂区沿垂直于厚度方向并排设置,所述第一掺杂区包括多个第一掺杂部,所述多个第一掺杂部中的至少部分与所述第二掺杂区接触设置,所述第三掺杂区包括主体区和第二掺杂部,所述主体区包覆所述第一掺杂区设置,相邻两个所述第一掺杂部之间设有所述第二掺杂部;源极结构,位于所述外延层靠近所述掺杂区一侧的表面,所述源极结构与所述第二掺杂部以及部分所述第一掺杂部抵接设置。
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权利要求:
百度查询: 北京中科新微特科技开发股份有限公司 半导体器件
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