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申请/专利权人：北京中科新微特科技开发股份有限公司
摘要：本申请涉及一种半导体器件，半导体器件包括外延层和源极结构。外延层包括掺杂区，掺杂区由外延层的一侧表面向外延层内掺杂形成，掺杂区包括第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区，第一掺杂区为第一导电类型，第二掺杂区和第三掺杂区均为第二导电类型，第一掺杂区和第二掺杂区沿垂直于厚度方向并排设置，第一掺杂区包括多个第一掺杂部，多个第一掺杂部中的至少部分与第二掺杂区接触设置，第三掺杂区包括主体区和第二掺杂部，主体区包覆第一掺杂区设置，相邻两个第一掺杂部之间设有第二掺杂部；源极结构，位于外延层靠近掺杂区一侧的表面，源极结构与第二掺杂部以及部分第一掺杂部抵接设置。本申请能够提高半导体器件的耐短路性能。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：外延层，包括掺杂区，所述掺杂区由所述外延层的一侧表面向所述外延层内掺杂形成，所述掺杂区包括第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区，所述第一掺杂区为第一导电类型，所述第二掺杂区和所述第三掺杂区均为第二导电类型，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区沿垂直于厚度方向并排设置，所述第一掺杂区包括多个第一掺杂部，所述多个第一掺杂部中的至少部分与所述第二掺杂区接触设置，所述第三掺杂区包括主体区和第二掺杂部，所述主体区包覆所述第一掺杂区设置，相邻两个所述第一掺杂部之间设有所述第二掺杂部；源极结构，位于所述外延层靠近所述掺杂区一侧的表面，所述源极结构与所述第二掺杂部以及部分所述第一掺杂部抵接设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京中科新微特科技开发股份有限公司 半导体器件
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