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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种测试结构及测试方法，测试方法包括：提供测试结构，包括若干导电插塞板块，导电插塞板块包括若干导电插塞单元，导电插塞单元包括若干导电插塞；导电插塞单元分别电连接第一测试端和第二测试端；若干导电插塞板块的第一测试端电连接第一测试板组；若干导电插塞板块的第二测试端电连接第二测试板组；对第一测试板组和第二测试板组电性测试，定位具有短接的导电插塞板块；对具有短接的导电插塞板块电性测试，定位具有短接的导电插塞单元；对具有短接的导电插塞单元切割观察处理，定位具有短接的导电插塞。通过定位到导电插塞数量较少的导电插塞单元中，再通过切割观察处理可以准确的定位到失效的少量导电插塞中,提高导电插塞漏电失效分析效率。
主权项：1.一种测试结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的若干导电插塞板块，每个所述导电插塞板块包括若干导电插塞单元，每个所述导电插塞单元包括若干导电插塞；每个所述导电插塞板块中的每个所述导电插塞单元分别电连接第一测试端和第二测试端，其中，同一所述导电插塞板块中的同一所述导电插塞单元的所述第一测试端和所述第二测试端位于同一金属层，同一所述导电插塞板块中的不同所述导电插塞单元的所述第一测试端和所述第二测试端位于不同金属层，且同一所述导电插塞板块中若干所述导电插塞单元的所述第一测试端电连接，同一所述导电插塞板块中若干所述导电插塞单元的所述第二测试端电连接；若干所述导电插塞板块的所述第一测试端电连接第一测试板组；若干所述导电插塞板块的所述第二测试端电连接第二测试板组。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 测试结构及测试方法
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