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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

摘要：本发明提供一种改善高压和中压器件可靠性的工艺集成方法，提供衬底，在衬底上形成有浅沟槽隔离以定义出低压器件、中压器件、高压器件的有源区；在衬底上形成覆盖第一至三栅极叠层结构的第一侧墙材料层，在第一侧墙材料层上形成额外侧墙材料层，形成覆盖额外侧墙材料层的第一光刻胶层，光刻打开低压区域上的第一光刻胶层，去除低压区域上的额外侧墙材料层，去除剩余的第一光刻胶层；回刻蚀第一侧墙材料层，使得第一侧墙材料层保留在第一栅极叠层结构的侧壁。本发明形成的额外侧墙材料层可作为高压器件间隙区域的保护层，防止后续工艺引起高压器件的栅极介电层损伤；同时该额外侧墙材料层增加了中压器件区域的侧墙宽度降低了GIDL漏电。

主权项：1.一种改善高压和中压器件可靠性的工艺集成方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成有浅沟槽隔离以定义出低压器件、中压器件、高压器件的有源区，在所述低压器件、中压器件、高压器件的有源区上分别形成有各器件的栅极介电层以及形成于所述栅氧化层上的第一至三栅极叠层结构；步骤二、在所述衬底上形成覆盖所述第一至三栅极叠层结构的第一侧墙材料层，在所述第一侧墙材料层上形成额外侧墙材料层，形成覆盖所述额外侧墙材料层的第一光刻胶层，光刻打开所述低压区域上的所述第一光刻胶层，去除所述低压区域上的所述额外侧墙材料层，去除剩余的所述第一光刻胶层；步骤三、回刻蚀所述第一侧墙材料层，使得所述第一侧墙材料层保留在所述第一栅极叠层结构的侧壁，形成覆盖所述衬底的第二光刻胶层，光刻打开所述低压区域上的所述第二光刻胶层，利用离子注入以所述所述第一栅极叠层及其上的所述第一侧墙材料层自对准形成低压区域上的轻掺杂漏，去除所述第二光刻胶层；步骤四、在所述第一至三栅极叠层结构上形成第二侧墙材料层，使得所述第二侧墙材料层填充所述第三栅极叠层结构之间的间隙，刻蚀所述第二侧墙材料层使其保留在所述第一至三栅极叠层结构的侧壁和所述第三栅极叠层结构之间的间隙中；步骤五、形成覆盖所述衬底的第三光刻胶层，光刻打开所述中压器件、所述高压器件上的所述第三光刻胶层，以所述第二、三栅极叠层结构及其上的所述额外侧墙材料层、所述第二侧墙材料层为掩膜，刻蚀去除所述衬底上裸露的所述额外侧墙材料层及其下方的所述栅极介电层，去除所述第三光刻胶层；步骤六、利用离子注入自对准形成所述低压器件、中压器件、高压器件的源漏区。

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