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3D存储器单元和阵列架构 

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申请/专利权人:许富菖

摘要:公开了各种3D存储器单元、阵列架构和工艺。在一个实施例中,一种存储器单元结构包括:第一半导体材料;浮体半导体材料,其具有围绕且连接到第一半导体材料的内侧面;以及第二半导体材料,其具有围绕且连接到浮体半导体材料的内侧面。存储器单元结构还包括:第一电介质层,其连接到浮体材料的顶面;第二电介质层,其连接到浮体材料的底面;前栅极,其连接到第一电介质层;以及背栅极,其连接到第二电介质层。

主权项:1.一种存储器单元结构,包括:第一半导体材料;浮体半导体材料,其具有围绕且连接到所述第一半导体材料的内侧面;第二半导体材料,其具有围绕且连接到所述浮体半导体材料的内侧面;第一电介质层,其连接到所述浮体材料的顶面;第二电介质层,其连接到所述浮体材料的底面;前栅极,其连接到所述第一电介质层;和背栅极,其连接到所述第二电介质层。

全文数据:

权利要求:

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