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申请/专利权人：深圳新声半导体有限公司
摘要：一种体声波谐振器及其制造方法、滤波器，体声波谐振器包括：谐振主体结构和位于其相对两侧的载体结构和盖体结构；谐振主体结构包括压电层、第一电极结构层和第二电极层；在载体结构和谐振主体结构之间具有第一空腔；盖体结构包括盖体键合层和盖体衬底，盖体键合层位于盖体衬底和谐振主体结构之间，在盖体结构和谐振主体结构之间具有第二空腔；第一导电连接件和第二导电连接件，设置于谐振主体结构的远离盖体结构的一侧；以及焊盘层，位于谐振主体结构的远离载体结构的一侧，且包括一或多个键合焊盘，每个键合焊盘的至少部分与盖体键合层键合，且具有朝向第一电极结构层凹入的凹陷，盖体键合层包括填充凹陷且被键合焊盘环绕的凸出部。
主权项：1.一种体声波谐振器，包括：谐振主体结构，包括压电层、第一电极结构层和第二电极层，其中所述压电层具有在第一方向上彼此相对的第一侧和第二侧；所述第一电极结构层设置于所述压电层的所述第一侧，且包括第一电极结构；所述第二电极层设置于所述压电层的所述第二侧，且包括第二电极；载体结构，设置于所述谐振主体结构的远离所述第二电极层的一侧，其中在所述载体结构和所述谐振主体结构之间具有第一空腔，且所述第一电极结构的部分位于所述第一空腔中；盖体结构，设置于所述谐振主体结构的与所述载体结构相对的一侧，且包括盖体键合层和盖体衬底，其中所述盖体键合层在所述第一方向上设置于所述盖体衬底和所述谐振主体结构之间，在所述盖体结构和所述谐振主体结构之间具有第二空腔，所述第二电极层的部分位于所述第二空腔中；第一导电连接件和第二导电连接件，设置于所述谐振主体结构的远离所述盖体结构的一侧，所述第一导电连接件延伸穿过所述载体结构以与所述第一电极结构电连接，所述第二导电连接件延伸穿过所述载体结构，并通过中间连接构件与所述第二电极电连接，其中所述中间连接构件与所述第一空腔间隔开；以及焊盘层，位于所述谐振主体结构的远离所述载体结构的一侧，且包括一或多个键合焊盘，其中每个键合焊盘的至少部分与所述盖体键合层键合，且具有朝向所述第一电极结构层凹入的凹陷，所述盖体键合层包括填充所述凹陷的凸出部，且所述凸出部被所述键合焊盘环绕。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳新声半导体有限公司 体声波谐振器及其制造方法、滤波器
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