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申请/专利权人：江苏润石科技有限公司

摘要：本专利申请提供一种修调电路，PAD通过金属线连接金属熔丝FUSE、电阻R1，金属熔丝FUSE另一端接地，电阻R1的另一端接反相器Ⅰ（CMOS1）输入端，反相器Ⅰ（CMOS1）的输出端接或门的输入端A，或门的输入端B接比较器U的输出端，比较器U的输入端接探针，或门的输出端接MOS管Ⅰ的栅极,MOS管Ⅰ的源极接电源AVDD、漏极接MOS管Ⅱ源极，MOS管Ⅱ的栅极接控制部分、漏极接控制offset的调整部分，本专利申请通过探针引入电流至PAD，烧断金属熔丝，电流经电阻R1、反相器Ⅰ（CMOS1）后，高电平变低电平，而经比较器至或门B输入端的电平为高电平，MOS管Ⅰ、MOS管Ⅱ导通，修调offset，同时还可根据控制部分输入的信号切换至控制负offset的调整部分的修调，利用上述结构进行芯片的失调电压以及温漂的调整，在微小的代价下，提高芯片的性能指标。

主权项：1.一种修调电路，包括：修调电路（4）、探针（5），其特征在于：所述修调电路（4）置于芯片（1）上，所述修调电路（4）经过引线与划片槽（2）内的焊盘（3）连接，所述探针（5）连接焊盘（3），用于引入电流至焊盘（3）；所述修调电路（4）包括：金属熔丝FUSE、电阻R1、反相器Ⅰ（CMOS1）、MOS管Ⅰ、MOS管Ⅱ、比较器U、或门，焊盘（3）通过金属线连接金属熔丝FUSE的一端、电阻R1的一端，金属熔丝FUSE另一端接地，电阻R1的另一端接反相器Ⅰ（CMOS1）输入端，反相器Ⅰ（CMOS1）的输出端接或门的输入端A，或门的输入端B接比较器U的输出端，比较器U的输入端接探针，或门的输出端接MOS管Ⅰ的栅极,MOS管Ⅰ的源极接电源AVDD、漏极接MOS管Ⅱ源极，MOS管Ⅱ的栅极接控制部分、漏极接控制offset的调整部分；还包括有控制负offset的调整部分修调部分，所述控制负offset的调整部分部分包括：反相器Ⅱ（CMOS2）、MOS管Ⅲ，MOS管Ⅱ的栅极通过引线接在反相器Ⅱ（CMOS2）的输入端，反相器Ⅱ（CMOS2）的输出端接MOS管Ⅲ的栅极，MOS管Ⅲ的源极经引线接至MOS管Ⅰ漏极与MOS管Ⅱ源极的公共端，MOS管Ⅲ的漏极接控制负offset的调整部分；电阻R1与反相器（CMOS1）连接的公共端还经过引线接至电源VDD。

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