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申请/专利权人:AMS有限公司
摘要:提供具有电介质2的衬底1、嵌入该电介质中的金属层3以及布置金属层上的含金属层4,该含金属层位于衬底与金属层之间。在衬底中以及衬底与金属层之间的电介质区域中形成导通孔9。在导通孔中施加绝缘层11并且从金属层的接触区域10上方将其去除,并且将含金属层从接触区域10完全去除。在导通孔中在接触区域上施加金属化部12。
主权项:1.一种形成贯穿衬底通孔的方法,包括:提供:具有布置在衬底1上的电介质2的所述衬底1;嵌入所述电介质2中的金属层3;以及布置在所述金属层3上的含金属层4,所述含金属层4设置在衬底1与金属层3之间;在所述金属层3上方形成穿透衬底1的导通孔9;从所述含金属层4上方去除所述电介质2,以便所述导通孔9到达所述含金属层4,在去除所述电介质2后,在所述导通孔9中和所述含金属层4上施加绝缘层11;从所述金属层3的接触区域10上方将所述绝缘层11去除,使得所述含金属层4的一部分留在所述金属层3与所述绝缘层11之间;以及在所述导通孔9中施加金属化部12,所述金属化部12在所述接触区域10中与所述金属层3接触并且通过所述绝缘层11与所述衬底1绝缘,其中,在施加所述金属化部12之前将所述含金属层4从所述接触区域10完全去除。
全文数据:
权利要求:
百度查询: AMS有限公司 形成贯穿衬底通孔的方法以及包括贯穿衬底通孔的半导体器件
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