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申请/专利权人：AMS有限公司
摘要：提供具有电介质2的衬底1、嵌入该电介质中的金属层3以及布置金属层上的含金属层4，该含金属层位于衬底与金属层之间。在衬底中以及衬底与金属层之间的电介质区域中形成导通孔9。在导通孔中施加绝缘层11并且从金属层的接触区域10上方将其去除，并且将含金属层从接触区域10完全去除。在导通孔中在接触区域上施加金属化部12。
主权项：1.一种形成贯穿衬底通孔的方法，包括：提供：具有布置在衬底1上的电介质2的所述衬底1；嵌入所述电介质2中的金属层3；以及布置在所述金属层3上的含金属层4，所述含金属层4设置在衬底1与金属层3之间；在所述金属层3上方形成穿透衬底1的导通孔9；从所述含金属层4上方去除所述电介质2，以便所述导通孔9到达所述含金属层4，在去除所述电介质2后，在所述导通孔9中和所述含金属层4上施加绝缘层11；从所述金属层3的接触区域10上方将所述绝缘层11去除，使得所述含金属层4的一部分留在所述金属层3与所述绝缘层11之间；以及在所述导通孔9中施加金属化部12，所述金属化部12在所述接触区域10中与所述金属层3接触并且通过所述绝缘层11与所述衬底1绝缘，其中，在施加所述金属化部12之前将所述含金属层4从所述接触区域10完全去除。
全文数据：
权利要求：
百度查询： AMS有限公司 形成贯穿衬底通孔的方法以及包括贯穿衬底通孔的半导体器件
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