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申请/专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
摘要：本发明实施例公开了一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片，该图形化复合衬底的制备方法包括：提供图形化衬底，并在所述图形化衬底的表面形成光刻胶层；采用平面软膜对所述光刻胶层进行压印，以使所述第一光刻胶部的厚度小于所述第二光刻胶部的厚度；去除部分所述第一光刻胶部；在裸露出的所述图形结构的至少顶部区域形成至少一层第一异质层；去除剩余所述光刻胶层，并保留所述图形结构上的所述第一异质层，形成复合图形结构。本发明实施例采用平面软膜压印技术制备图形化复合衬底，实现了图形化复合衬底简单、高效且稳定地制备，利用该图形化复合衬底制备LED，能够有效提高图形化复合衬底对LED的光提取率，以及有效提高芯片的亮度。
主权项：1.一种图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：提供图形化衬底，并在所述图形化衬底的表面形成光刻胶层；其中，所述图形化衬底包括基底和位于所述基底一侧表面上的多个图形结构；所述光刻胶层包括第一光刻胶部和第二光刻胶部，所述第一光刻胶部覆盖所述图形结构的至少部分表面，所述第二光刻胶部至少部分填充所述图形结构之间的间隙；采用平面软膜对所述光刻胶层进行压印，以使所述第一光刻胶部的厚度小于所述第二光刻胶部的厚度；其中，所述平面软膜的硬度大于所述光刻胶层的硬度，小于所述图形化衬底的硬度；所述第一光刻胶部的厚度为垂直于图形结构侧边的方向上的光刻胶厚度，所述第二光刻胶部的厚度为垂直于图形结构之间的间隙的衬底方向上的光刻胶厚度；去除部分所述第一光刻胶部；在裸露出的所述图形结构的至少顶部区域形成至少一层第一异质层；去除剩余所述光刻胶层，并保留所述图形结构上的所述第一异质层，形成复合图形结构；在垂直基底所在平面的方向上，所述第一异质层的底部与所述基底的表面具有间隙；所述图形结构包括锥体、台状体、柱体、长方体。
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权利要求：
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