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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明提供了一种改善芯片产生白色像素和暗电流的方法及CIS芯片，属于半导体领域。该改善芯片产生白色像素和暗电流的方法包括提供一衬底；将碳氢分子离子注入至所述衬底的表面，并形成投射区域；在所述投射区域的表面生长一层第一外延层。本发明通过将碳氢分子离子注入至衬底的表面，在注入后衬底的表面形成碳氢分子离子的投射区域，接着再通过化学气相沉积法在投射区域的表面形成第一外延层即，单外延层。即，碳氢分子离子能够吸附TSV技术扩散到硅晶体中的大部分金属杂质，从而能够达到改善芯片产生白色像素和暗电流的作用，提高了产品性能。
主权项：1.一种改善芯片产生白色像素和暗电流的方法，其特征在于，包括：提供一衬底；将碳氢分子离子注入至所述衬底的表面，并形成投射区域；在所述投射区域的表面生长一层第一外延层。
全文数据：
权利要求：
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