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申请/专利权人：中科同德微电子科技(大同)有限公司
摘要：本申请涉及高先进芯片封装技术领域，尤其涉及一种IGBT芯片封装方法及IGBT芯片封装模块。IGBT芯片封装方法，包括：a、提供至少一IGBT芯片；b、提供临时载体，且在临时载体上形成至少一层布线层；c、将至少一IGBT芯片设置于布线层上后封装以形成封装体；d、移除临时载体以暴露出封装体背离IGBT芯片一侧的连接面，并在连接面上形成连接层；e、将移除临时载体后的封装体切割成多个封装单体，并将封装单体通过连接层集成于预设的基板上。本申请不仅能够有效提高IGBT模块的电气性能和可靠性，还能够显著改善散热管理效果，且最终IGBT封装模块的性能、可靠性和功率密度可以得到显著提高。
主权项：1.一种IGBT芯片封装方法，其特征在于，包括：a、提供至少一IGBT芯片；b、提供临时载体，且在所述临时载体上形成至少一层布线层；c、将所述至少一IGBT芯片设置于所述布线层上后封装以形成封装体；d、移除所述临时载体以暴露出所述封装体背离所述IGBT芯片一侧的连接面，并在所述连接面上形成连接层；e、将移除所述临时载体后的封装体切割成多个封装单体，并将所述封装单体通过所述连接层集成于预设的基板上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中科同德微电子科技(大同)有限公司 IGBT芯片封装方法及IGBT芯片封装模块
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