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申请/专利权人：深圳市晶扬电子有限公司
摘要：本发明提供一种紧凑的低电容型肖特基二极管，属于肖特基二极管结构领域。本发明包括第一导电类型阱区、设置在所述第一导电类型阱区内、相互隔离的第一导电类型重掺杂区及第二导电类型保护环，所述第二导电类型保护环为第二导电类型轻掺杂区，所述第一导电类型重掺杂区、第一导电类型阱区、第二导电类型轻掺杂区上表面均设有肖特基势垒金属，所述第一导电类型阱区与其直接相接触的表面肖特基势垒金属构成一主肖特基结，所述第二导电类型轻掺杂区与其表面的肖特基势垒金属构成一肖特基结，所述肖特基结与主肖特基结电流整流方向相反。本发明能够实现更紧凑的版图布局和更低的正向导通阻抗，从而全面提升肖特基二极管的综合性能。
主权项：1.一种紧凑的低电容型肖特基二极管，包括第一导电类型阱区、设置在所述第一导电类型阱区内、相互隔离的第一导电类型重掺杂区及第二导电类型保护环，其特征在于：所述第二导电类型保护环为第二导电类型轻掺杂区，所述第一导电类型重掺杂区、第一导电类型阱区、第二导电类型轻掺杂区上表面均设有肖特基势垒金属，所述第一导电类型阱区与其直接相接触的表面肖特基势垒金属构成一主肖特基结，所述第二导电类型轻掺杂区与其表面的肖特基势垒金属构成一肖特基结，所述肖特基结与主肖特基结电流整流方向相反，所述第二导电类型轻掺杂区的制备工艺包括：改进工艺和定制工艺，所述定制工艺为由定制掺杂浓度后制备而成，所述改进工艺包括：由轻掺杂漏区掺杂，调整掺杂浓度改进而成，所述第一导电类型重掺杂区与所述第二导电类型轻掺杂区之间设有隔离结构，所述隔离结构为设置在所述第一导电类型阱区上方的栅极隔离结构，所述栅极隔离结构设置在所述第一导电类型重掺杂区表面的肖特基势垒金属及所述第二导电类型轻掺杂区表面的肖特基势垒金属之间，所述第二导电类型轻掺杂区靠近所述第一导电类型重掺杂区的一侧设有表面没有设置所述肖特基势垒金属的延伸端，所述延伸端设置在所述栅极隔离结构一侧下方。
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权利要求：
百度查询： 深圳市晶扬电子有限公司 一种紧凑的低电容型肖特基二极管
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