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摘要：本发明公开了一种富硒葛仙米的培养方法，属于生物技术领域。本发明通过使用富硒温泉水配制全营养培养基，充分利用富硒温泉水中的硒源，摒弃外源添加硒酸钠或亚硒酸钠的方法，避免了添加硒酸钠或亚硒酸钠存在的健康风险；并在培养基加入甘油磷酸二钠，给葛仙米提供了更容易吸收的磷素养分，促进葛仙米的固氮活性，并刺激葛仙米对其它养分元素的吸收，提高了葛仙米的生长和代谢活性，使葛仙米能够以出芽的方式快速产生种子；同时本发明还通过无硫诱导和低硫培养，在不影响葛仙米生长和形态发育的条件下长效增加葛仙米对硒的吸收能力，且操作简单，安全性好和成本低。

主权项：1.一种富硒葛仙米的培养方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、用富硒温泉水配置葛仙米全营养培养基，备用，所述全营养培养基配方为：甘油磷酸二钠1mgL，NaH2PO430mgL，MgSO460mgL，FeCl32mgL，Na2EDTA5mgL，CaCl250mgL，K2CO350mgL，MnCl22mgL，ZnCl20.5mgL，Na2MoO40.7mgL，H3BO35mgL和CuSO40.02mgL；S2、往步骤S1配置的全营养培养基中加入琼脂2%，经过121摄氏度高压蒸汽灭菌30分钟，灭菌完毕后，在培养基凝固前倾倒到培养皿中，静止凝固，得到全营养固体培养基；然后将葛仙米球形群体用水洗净，消毒，清洗，匀浆获得丝状藻浆，涂布在全营养固体培养基表面，控制温度和光照强度，培养，获得葛仙米一级种子；S3、将葛仙米一级种子转移到步骤S1配置的全营养培养基中，光照通气培养，获得葛仙米二级种子；S4、将步骤S3获得的葛仙米二级种子转移到无硫培养基中，进行硫饥饿培养，获得硫饥饿培养物；S5、步骤S4获得的硫饥饿培养物转移到低硫培养基中，光照通气培养，即可收获得到富硒葛仙米；所述富硒温泉水的水质特征如下：硒7.8μgL，Na+15mgL,K+1.1mgL，Mg2+0.8mgL，Ca2+7.3mgL，H2SiO356mgL，Cl-5.7mgL，SO42-1.2mgL，CO32-46mgL，F-8.0mgL，pH7.3；所述步骤S4中的无硫培养基配方为：甘油磷酸二钠1mgL，NaH2PO430mgL，MgCl240mgL，FeCl32mgL，Na2EDTA5mgL，CaCl250mgL，K2CO350mgL，CoCl21mgL，MnCl22mgL，ZnCl20.5mgL，Na2MoO40.7mgL，H3BO35mgL，CuCl20.02mgL；所述步骤S5中的低硫培养基的配方为：甘油磷酸二钠1mgL，NaH2PO430mgL，MgSO45mgL，MgCl240mgL，FeCl32mgL，Na2EDTA5mgL，CaCl250mgL，K2CO350mgL，MnCl22mgL，ZnCl20.5mgL，Na2MoO40.7mgL，H3BO35mgL，CuSO40.02mgL。

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