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申请/专利权人：深圳市港祥辉电子有限公司
摘要：本发明公开了一种p型横向金刚石MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括无掺杂金刚石、导电沟道、源极金属二以及漏极金属二、源极金属一以及漏极金属一，所述导电沟道的上方设置有栅介质一，所述栅介质一设置在漏极金属一、漏极金属二以及源极金属一、源极金属二的内侧，所述栅介质一的上方设置有位于栅介质一内部的栅介质二，所述栅介质二的上方设置有栅极金属。该器件及其制备方法，规避了现有工艺条件下金刚石掺杂难以激活问题，器件的栅介质采用两步工艺实现，抑制了由于高温和栅介质共同条件下导致的氢终端退化；源极和漏极采用两种金属，不仅降低器件源极和漏极的接触电阻，还降低了器件的制作成本。
主权项：1.一种p型横向金刚石MOSFET器件，其特征在于，包括无掺杂金刚石，所述无掺杂金刚石位于该器件的最底端，所述无掺杂金刚石的上方设置有导电沟道；所述导电沟道的两侧分别设置有源极金属二以及漏极金属二，所述源极金属二的上方设置有源极金属一，所述漏极金属二的上方设置有漏极金属一，所述导电沟道的上方设置有栅介质一，所述栅介质一设置在漏极金属一、漏极金属二以及源极金属一、源极金属二的内侧，所述栅介质一的上方设置有位于栅介质一内部的栅介质二，所述栅介质二的上方设置有栅极金属，所述栅极金属位于该器件的顶端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市港祥辉电子有限公司 一种p型横向金刚石MOSFET器件及其制备方法
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