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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构，其中，制备方法包括：在第一晶圆上形成重布线结构以及位于重布线结构上的电容结构和第一接触结构，电容结构包括具有通孔的第一电极、覆盖通孔内壁和底部的电容介质层、位于通孔内并覆盖电容介质层的第二电极，第一电极和第一接触结构分别与重布线结构耦接；在第二晶圆上形成位于第二阵列区的阵列结构和第二接触结构以及位于第二外围区的外围电路结构和第三接触结构，第二接触结构与阵列结构中的第一晶体管的第一源漏极耦接，第三接触结构与外围电路结构中的第二晶体管耦接；键合第一晶圆与第二晶圆，以使第二电极与第二接触结构耦接，第一接触结构与第三接触结构耦接。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有第一阵列区和环绕所述第一阵列区的第一外围区；在所述第一晶圆上形成重布线结构以及位于所述重布线结构上的电容结构和第一接触结构，所述电容结构位于所述第一阵列区，所述第一接触结构位于所述第一外围区，所述电容结构包括具有通孔的第一电极、覆盖所述通孔内壁和底部的电容介质层、位于所述通孔内并覆盖所述电容介质层的第二电极，所述第一电极和所述第一接触结构分别与所述重布线结构耦接；提供第二晶圆，所述第二晶圆具有第二阵列区和环绕所述第二阵列区的第二外围区；在所述第二晶圆上形成位于所述第二阵列区的阵列结构和第二接触结构以及位于所述第二外围区的外围电路结构和第三接触结构，所述阵列结构包括第一晶体管，所述第二接触结构与所述第一晶体管的第一源漏极耦接，所述外围电路结构包括第二晶体管，所述第三接触结构与所述第二晶体管耦接；键合所述第一晶圆与所述第二晶圆，以使所述第二电极与所述第二接触结构耦接，所述第一接触结构与所述第三接触结构耦接。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制备方法、半导体结构
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