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申请/专利权人：成都航天博目电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种GaNHEMT器件的栅极制备方法、栅极以及GaNHEMT器件，所述方法包括：在衬底上形成GaN外延层，在GaN外延层上沉积第一介质层；在第一介质层上形成第一金属层；在要形成栅极金属结构的位置处对第一金属层和第一介质层进行开孔蚀刻，形成大窗口结构，露出该位置处的GaN外延层；在第一金属层以及露出的GaN外延层上沉积低介电常数材料的第二介质层；在大窗口结构中的第二介质层上方制作保护层；去除保护层覆盖以外的第二介质层，然后去除保护层；在第二介质层上方制作第二金属层；去除第二金属层下方以外的第二介质层；去除第一金属层；在第二金属层和第一介质层上进行SiN沉积形成第三介质层。本发明能够在抑制电流崩塌的同时，提高器件的截止频率。
主权项：1.一种GaNHEMT器件的栅极制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，在衬底上形成GaN外延层，在GaN外延层上沉积第一介质层；步骤S2，在第一介质层上通过溅射工艺形成第一金属层；步骤S3，在要形成栅极金属结构的位置处对第一金属层和第一介质层进行开孔蚀刻，去除该位置处的第一金属层和第一介质层，形成大窗口结构，露出该位置处的GaN外延层；步骤S4，在第一金属层以及露出的GaN外延层上沉积第二介质层，所述第二介质层采用低介电常数材料；步骤S5，在大窗口结构中的第二介质层上方制作保护层；步骤S6，去除保护层覆盖的第二介质层以外的第二介质层，露出第一金属层，然后去除保护层；步骤S7，在大窗口结构内的第二介质层上方制作第二金属层，形成栅极金属结构；步骤S8，去除第二金属层下方的第二介质层以外的第二介质层；步骤S9，去除第一介质层上方的第一金属层；步骤S10，在第二金属层和第一介质层上进行SiN沉积形成第三介质层。
全文数据：
权利要求：
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