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申请/专利权人：UP化学株式会社
摘要：本发明涉及一种钼前体化合物、包含其的用于形成含钼膜的组合物、通过使用其形成的含钼膜以及用于沉积含钼膜的方法。所述钼前体化合物具有单一的结构和高纯度，因此可以形成高品质的含钼膜，并且具有优异的热稳定性和低比电阻，因此可以在半导体领域中具有各种应用。特别地，由于钼前体化合物即使在表面具有花纹沟槽的基材上、多孔基材上、塑料基材上或具有复杂形状的基材上也可以形成具有优异涂覆性能和均匀性的膜，因此，可以容易地实现高品质的含钼膜。
主权项：1.一种由下式1表示的钼前体化合物：[式1] 在式1中，R1至R6各自独立地选自氢和直链或支链C1-C8烷基，条件是R1至R6中的至少两个不是氢。
全文数据：
权利要求：
百度查询： UP化学株式会社 钼前体化合物、其制备方法以及使用其沉积含钼膜的方法
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