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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明公开一种用于大尺寸AlN晶体生长的TaCC复合坩埚的制备方法。该制备方法首先采用机械加工或压力成型等技术制备内衬为Ta箔的Ta箔石墨坩埚复合体，并使石墨与Ta箔界面形成紧密配合，然后将紧密配合的Ta箔石墨坩埚复合体施加一定压力，升到一定温度，保温一定的时间，使界面两边固体原子互相扩散，得到TaCC复合坩埚。采用本发明可以提高TaCC复合坩埚的使用性能，极大降低其制备成本。
主权项：1.一种用于大尺寸AlN晶体生长的TaCC复合坩埚制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1采用机械加工弯折焊接手段制备Ta箔坩埚，Ta箔的厚度在0.2～1.0毫米，接着采用冷装法或加压法，将Ta箔坩埚放入石墨坩埚内，采用机械压力形成Ta箔紧贴石墨内壁的Ta箔石墨坩埚复合体；2将步骤1得到的Ta箔石墨坩埚复合体放置在加热加压设备中施加压力为20～100Mpa，温度为600～1500℃，保温时间为1～30个小时，保温阶段结束后取出TaCC复合坩埚。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 用于大尺寸AlN晶体生长的TaC/C复合坩埚的制备方法
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