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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：一般，本文描述的实施例涉及用于在形成为超晶格的一部分的修整的层上形成包覆层的集成解决方案。在一个实施例中，在处理系统的第一处理腔室中选择性地蚀刻第一材料。所述第一材料设置在处于基板上的沟道区域中的所述第一材料和第二材料的交替层内。在所述处理系统的所述第一处理腔室中修整所述第二材料的一部分。将所述基板从所述处理系统的所述第一处理腔室传送到所述处理系统的第二处理腔室，而不将所述基板暴露于在所述处理系统外部的周边环境。在所述处理系统的所述第二处理腔室中在所修整的第二材料的相应层上外延地生长包覆层。
主权项：1.一种用于半导体处理的方法，所述方法包括：在处理系统的第一处理腔室中选择性地蚀刻第一材料，所述第一材料设置在处于基板上的沟道区域中的所述第一材料和第二材料的交替层内；在所述处理系统的所述第一处理腔室中修整所述第二材料的一部分；将所述基板从所述处理系统的所述第一处理腔室传送到所述处理系统的第二处理腔室，而不将所述基板暴露于在所述处理系统外部的周边环境；和在所述处理系统的所述第二处理腔室中在所修整的第二材料的相应层上外延地生长包覆层，其中在具有小于或等于300Torr的压力的传送环境中将所述基板从所述处理系统的所述第一处理腔室传送到所述处理系统的所述第二处理腔室，而不在传送期间去除所述传送环境。
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