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申请/专利权人：富士电机株式会社
摘要：本发明提供一种能够利用灵敏度比基于正向电压的变化率的筛选的灵敏度更好的测定来筛选的碳化硅半导体装置的筛选方法。本发明筛选具有MOS栅极结构的碳化硅半导体装置50。首先，测定碳化硅半导体装置50的导通电压。接着，在碳化硅半导体装置50的内置二极管流通正向电流。接着，检测流通正向电流后的碳化硅半导体装置50的导通电压。接着，根据在第一工序测定出的导通电压与在第三工序测定出的导通电压而计算出碳化硅半导体装置50的导通电压的变化率。接着，筛选出所计算出的变化率低于3％的碳化硅半导体装置50。
主权项：1.一种碳化硅半导体装置的筛选方法，其特征在于，是具有MOS栅极结构、作为源电极的第一电极、以及作为漏电极的第二电极的碳化硅半导体装置的筛选方法，所述碳化硅半导体装置的筛选方法包括：第一工序，测定所述碳化硅半导体装置的作为MOS栅极结构处于导通状态下的所述第一电极与所述第二电极之间的电位差的导通电压；第二工序，在所述碳化硅半导体装置的内置二极管流通正向电流；第三工序，测定流通所述正向电流后的所述碳化硅半导体装置的导通电压；第四工序，根据在所述第一工序中测定出的导通电压与在所述第三工序中测定出的导通电压，计算出所述碳化硅半导体装置的导通电压的变化率；以及第五工序，筛选出计算出的所述变化率低于3％的所述碳化硅半导体装置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 富士电机株式会社 碳化硅半导体装置的筛选方法
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