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申请/专利权人：南京美辰微电子有限公司
摘要：本发明涉及一种集成高频高压PMOS管的驱动芯片电路，由高边驱动模块在预设高压域范围内，将所接收低压TTL电压波孔信号转换为对应驱动电压PG，分别输出至目标PMOS管MP0的栅极、以及低边检测模块，然后低边检测模块对驱动电压PG、以及来自高边驱动模块分支信号进行判决，产生上升沿、下降沿与驱动电压PG上升沿、下降沿均不交叠的信号NG，并输出至目标PMOS管MP0的漏极，如此实现对目标PMOS管MP0的驱动，完美解决了原有PMOS管驱动芯片功能单一及应用范围窄所带来的无法IP化的问题，在宽电源和宽温度范围内，保证所驱动不同类型的PMOS功率管在低频和高频时均能高效率高性能工作。
主权项：1.一种集成高频高压PMOS管的驱动芯片电路，用于对目标PMOS管MP0实现驱动，其特征在于：包括高边驱动模块、低边检测模块、以及低边驱动模块，其中，目标PMOS管MP0的源极外接预设高压域范围的上限，高边驱动模块的输入端用于接收低压TTL电压波孔信号，高边驱动模块的第一输出端对接目标PMOS管MP0的栅极、以及低边检测模块的第一输入端，高边驱动模块的第二输出端对接低边检测模块的第二输入端，高边驱动模块用于在预设高压域范围内，将所接收低压TTL电压波孔信号转换为对应驱动电压PG，分别输出至目标PMOS管MP0的栅极、以及低边检测模块的第一输入端；低边检测模块的输出端对接低边驱动模块的输入端，低边驱动模块的输出端对接目标PMOS管MP0的漏极，低边检测模块用于对所接收驱动电压PG、以及来自高边驱动模块第二输出端的输出信号进行判决，执行高边到低边的转换，产生上升沿、下降沿与驱动电压PG上升沿、下降沿均不交叠的信号NG，并输出至目标PMOS管MP0的漏极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京美辰微电子有限公司 一种集成高频高压PMOS管的驱动芯片电路
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