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申请/专利权人：美满芯盛(杭州)微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种双衬底气化芯片，包括：基础衬底和硅衬底，基础衬底上设置有自顶面向内凹陷形成的空腔，待气化液体设置在空腔内，空腔的底面上设置有液态源通道，基础衬底的顶面上设置有接触电极板，硅衬底底部设置有加热电极板，加热电极板通过键合金属层与接触电极板电连接，硅衬底上设置有第一气化通道结构，第一气化通道结构包括阵列排布的若干个第一气化通道单元，第一气化通道单元连通至空腔。本发明还公开了一种双衬底气化芯片的制造方法。本发明相较于现有技术，将陶瓷衬底或玻璃衬底与硅衬底组合形成双衬底结构，气化芯片上气化孔的孔径均匀，将气化芯片的加热区域和外围固定结构进行热隔离，降低热导，提升电加热气化效率。
主权项：1.一种双衬底气化芯片，其特征在于，包括：基础衬底（1）和硅衬底（2），所述基础衬底（1）上设置有自顶面向内凹陷形成的空腔（11），待气化液体设置在所述空腔（11）内，所述空腔（11）的底面上设置有液态源通道（12），所述基础衬底（1）的顶面上设置有接触电极板（13），所述硅衬底（2）底部设置有加热电极板（3），所述加热电极板（3）通过键合金属层（4）与所述接触电极板（13）电连接，所述硅衬底（2）上设置有第一气化通道结构，所述第一气化通道结构包括阵列排布的若干个第一气化通道单元（21），所述第一气化通道单元（21）连通至所述空腔（11）；所述基础衬底（1）为陶瓷衬底或玻璃衬底；硅衬底的尺寸小于基础衬底的尺寸；所述第一气化通道单元（21）为条形孔道或喇叭形孔道；所述加热电极板（3）为环形结构，所述第一气化通道结构设置在所述加热电极板（3）内侧的所述硅衬底（2）上；所述加热电极板（3）一相对侧的所述硅衬底（2）上设置有第二气化通道结构，所述第二气化通道结构包括沿直线排布的若干个梳齿形气化通道单元（22）和若干个条形气化通道单元（23）；所述梳齿形气化通道单元（22）和所述条形气化通道单元（23）间隔布置。
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权利要求：
百度查询： 美满芯盛(杭州)微电子有限公司 一种双衬底气化芯片及其制造方法
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