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申请/专利权人：苏州高芯众科半导体有限公司
摘要：本申请涉及仿制晶圆用于回收利用的清洗方法，包括以下步骤：采用酸性清洗液浸泡仿制晶圆；浸泡后，去离子水冲洗；冲洗后人工打磨；打磨后，采用酸性清洗液浸泡仿制晶圆；浸泡后，去离子水冲洗；冲洗后，采用氮气干燥；干燥后，采用异丙醇浸泡；最后加热干燥。本申请利用化学药品清洗与人工打磨相结合的清洗方式，通过对金属膜层的去除条件进行控制，从而降低对仿制晶圆的腐蚀或损伤，同时能够避免机械打磨带给仿制晶圆表面的损伤。
主权项：1.仿制晶圆用于回收利用的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：采用酸性清洗液浸泡仿制晶圆；浸泡后，去离子水冲洗；冲洗后人工打磨；打磨后，采用酸性清洗液浸泡仿制晶圆；浸泡后，去离子水冲洗；冲洗后，采用氮气干燥；干燥后，采用异丙醇浸泡；最后加热干燥。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州高芯众科半导体有限公司 仿制晶圆用于回收利用的清洗方法
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