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申请/专利权人：常州工学院
摘要：本发明公开了一种用于快速相变、低功耗相变存储器的CuSnSb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用，所述CuSnSb纳米相变薄膜的化学组成为Cu32Sn10Sb58，所述CuSnSb纳米相变薄膜是以Sn15Sb85靶材和14扇形Cu靶材构成的复合靶材通过高真空环境磁控溅射方法沉积而成。本发明的Cu32Sn10Sb58纳米相变薄膜材料应用于半导体领域中的相变存储器，具有更快的晶化速度，能够极大提升相变存储器的存储速度；在SET和RESET过程电阻较小，因此能极大降低相变存储器的功耗；非晶态与晶态之间均方根粗糙度差异能使电极与相变材料之间更好的接触与断开，提升了器件可靠性。
主权项：1.一种用于快速相变、低功耗相变存储器的CuSnSb纳米相变薄膜材料，其化学组成通式为Cu32Sn10Sb58，其中Cu代表铜元素，Sn代表锡元素，Sb代表锑元素，所述Cu32Sn10Sb58纳米相变薄膜材料是以Sn15Sb85靶材和扇形纯Cu靶材构成的复合靶材并通过高真空磁控溅射方法沉积而成；所述扇形纯Cu靶材中的扇形面积对应圆面积的14；所述Cu32Sn10Sb58纳米相变薄膜材料化学组成是经扫描电子显微镜中的EDS模块测定，即代表Cu重量百分比为32％，Sn重量百分比为10％，Sb重量百分比为58％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州工学院 一种用于快速相变、低功耗相变存储器的CuSnSb纳米相变薄膜材料及其制备和应用
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