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申请/专利权人：成都奕成集成电路有限公司
摘要：本申请设计芯片封装技术领域，具体公开了本发明提供一种基于两次塑封的DieFirstFaceUp封装工艺及芯片，包括对将晶圆裸片进行预处理的步骤，以及将经过预处理的晶圆裸片进行第一次整体塑封，再将获得的晶圆塑封体进行切割获得芯片单元体；将芯片单元体以封装单元体为排列单元重新贴合在载板上完成排列；将完成排列的至少一个芯片单元体进行第二次整体塑封，获得重组塑封体；重组塑封体进行包括打磨、重布线、植球、切割操作，获得塑封芯片。本发明先在Bumpingwafer上完成塑封，减少bumpingwafer切片过程中对芯片的损伤，有助于提升良率；Bumpingwafer在切割成单颗Unit进行芯片贴合时，由于Piller已经被塑封材料保护起来，芯片贴合的UPH更高，良率也更高,成本更低。
主权项：1.一种基于两次塑封的DieFirstFaceUp封装工艺，包括对晶圆裸片进行预处理的步骤，其特征在于：还包括以下步骤：步骤STP10，将经过预处理的晶圆裸片进行第一次整体塑封，获得晶圆塑封体；步骤STP20，将步骤STP10获得的晶圆塑封体进行切割获得芯片单元体；步骤STP30，将至少一种数量大于一个的芯片单元体以封装单元体为排列单元重新贴合在载板上完成排列；步骤STP40，将完成排列的至少一个芯片单元体进行第二次整体塑封，获得重组塑封体；步骤STP50，将步骤STP40获得的重组塑封体进行包括打磨、重布线、植球、切割操作，获得塑封芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都奕成集成电路有限公司 一种基于两次塑封的Die First Face Up封装工艺及芯片
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