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申请/专利权人：上海晶岳电子有限公司
摘要：本发明提供了一种SGTMOS工艺TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：第一导电类型的衬底和形成在衬底上的同质外延层；元胞区中形成有MOS管，触发区中形成有TVS管，TVS管为二极管结构，二极管的P区和N区通过对硅进行掺杂形成，且P区和N区横向设置；元胞区及元胞区至触发区包括：形成在外延层中的第二导电类型的基区，形成在基区的第一导电类型的源区、第二导电类型的体区，形成在外延层中的相互隔离的第一多晶硅和第二多晶硅；源区构成MOS管的源极，衬底作为MOS管的漏极，第二多晶硅构成MOS管的栅极和栅极结构，栅极结构与MOS管的栅极相连接；元胞区外的第一多晶硅构成栅极电阻，或者栅极电阻由基区构成。
主权项：1.一种SGTMOS工艺TVS器件，其特征在于，包括：基板主体，所述基板主体包括第一导电类型的衬底和形成在所述衬底上的同质外延层；所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管，所述TVS管为二极管结构，所述二极管的P区和N区通过对硅进行掺杂形成，且所述P区和N区横向设置；所述元胞区及所述元胞区至所述触发区包括：形成在所述外延层中的第二导电类型的基区，形成在所述基区的第一导电类型的源区、第二导电类型的体区，形成在所述外延层中的相互隔离的第一多晶硅和第二多晶硅；其中所述第二多晶硅位于所述第一多晶硅的上方；所述源区构成所述MOS管的源极，所述衬底作为MOS管的漏极，所述第二多晶硅构成所述MOS管的栅极和栅极结构，所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；所述元胞区外的所述第一多晶硅构成栅极电阻，或者所述栅极电阻由所述基区构成；互连金属，使所述TVS管的阳极通过所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；使所述栅极电阻并联于所述TVS管的阳极与所述MOS管的源极之间；使所述MOS的漏极与所述TVS管的阴极相连；使所述元胞区中的所述第一多晶硅与所述MOS管的源极相接。
全文数据：
权利要求：
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