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一种Sigma相催化剂和高选择性合成单壁碳纳米管的方法 

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申请/专利权人:青岛科技大学;青岛科技大学广饶橡胶工业研究院

摘要:本发明提供了一种Sigma相催化剂和高选择性合成单壁碳纳米管的方法,涉及纳米材料合成技术领域,包括以下步骤:将碱式碳酸镁煅烧得到氧化镁;将煅烧得到氧化镁溶于去离子水中,分别加入三氯化铼和硝酸锰并搅拌均匀;将搅拌均匀的溶液进行烘干、研磨;将研磨后的粉末煅烧得到催化剂;通过CVD法利用催化剂催化生长SWNTs;以氧化镁作为基底和催化剂载体,具有容易制备、价格低廉、热稳定性好,比表面积大的优点,可通过与酸性较弱的盐酸反应去除,最小程度上降低了SWNTs的破坏。

主权项:1.一种利用Sigma相催化剂高选择性合成单壁碳纳米管的方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤1:将碱式碳酸镁煅烧得到氧化镁:步骤2:将煅烧得到氧化镁溶于去离子水中,分别加入三氯化铼和硝酸锰并搅拌均匀;步骤3:将搅拌均匀的溶液进行烘干、研磨;步骤4:将研磨后的粉末煅烧得到催化剂;步骤5:通过CVD法利用催化剂催化生长SWNTs;步骤4中煅烧的方法为将研磨后的粉末置于马弗炉中,在1000℃的条件下煅烧10h-20h;步骤5中通过CVD法利用催化剂催化生长SWNTs的具体步骤包括:步骤51:取步骤4得到的催化剂置于石英舟中,将石英舟放于CVD炉的中部,然后连接通气装置;步骤52:设置CVD炉的升温程序为15℃min,控制通气装置以500sccm的流量通入氩气排除CVD炉内的空气;步骤53:在CVD炉中的温度达到600℃-1000℃后,控制通气装置以300sccm的流量通入一氧化碳10min;步骤54:待CVD反应生长结束后通入氩气,并控制CVD炉停止加热开始降温,直到CVD炉中生长的样品温度达到室温,停止通入氩气,最后取出样品为SWNTs;使用Sigma相催化剂制备了窄手性分布的小直径SWNTs,制备得到的SWNTs直径为0.7nm,制备得到的SWNTs为以(6,5)SWNTs为主。

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