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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本申请公开了用于自下而上外延的选择性底部种子层形成。一种方法包括：蚀刻栅极堆叠旁的半导体区域以形成凹部；在凹部的底部形成电介质层；在凹部的底部选择性地形成第一半导体层；以及在第一半导体层上外延生长第二半导体层。第一半导体层的底表面与电介质层的顶表面形成界面，并且界面延伸至凹部的相反侧。选择性地形成第一半导体层包括在第一工艺条件下执行的第一沉积工艺。第二半导体层是使用第二工艺条件下的第二沉积工艺形成的。第二工艺条件不同于第一工艺条件。
主权项：1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：蚀刻栅极堆叠旁的半导体区域以形成凹部；在所述凹部的底部形成电介质层；在所述凹部的底部选择性地形成第一半导体层，其中，所述第一半导体层的底表面与所述电介质层的顶表面形成界面，并且所述界面延伸至所述凹部的相反侧，并且其中，选择性地形成所述第一半导体层包括在第一工艺条件下执行的第一沉积工艺；以及在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层，其中，外延生长所述第二半导体层是使用第二工艺条件下的第二沉积工艺来执行的，并且其中，所述第二工艺条件不同于所述第一工艺条件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 用于自下而上外延的选择性底部种子层形成
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