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申请/专利权人：广州市尤特新材料有限公司
摘要：本发明提供了一种IGZO靶材的烧结制备方法及其应用，包括以下步骤：（1）Ga2O3、ZnO、In2O3、氧化镧、氧化铈、氧化钕按原子比In：Ga：Zn：La：Ce:Nd=1:1:1：0.02：0.03：0.05混合，得到混合粉体；（2）将混合粉体、分散剂、粘结剂、消泡剂和去离子水加入球磨机中，球磨、喷雾干燥，得到造粒粉；（3）将造粒粉采用模压‑等静压成型方式，得到IGZO靶材素坯；（4）将IGZO靶材素坯进行烧结；（5）将炉内的温度降至900‑950℃后，随炉冷却，停止通入氧气，最后室温出炉，得到IGZO靶材。本发明制得的IGZO靶材透光率高，电学性能好，具有极高的市场价值。
主权项：1.一种IGZO靶材的烧结制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）Ga2O3、ZnO、In2O3、氧化镧、氧化铈、氧化钕按原子比In：Ga：Zn：La：Ce:Nd=1:1:1：0.02：0.03：0.05混合，得到混合粉体；（2）将混合粉体、分散剂、粘结剂、消泡剂和去离子水加入球磨机中，球磨36h，得到IGZO混合浆料，喷雾干燥，得到造粒粉；（3）将造粒粉采用模压-等静压成型方式，47MPa模压4min，脱模，230MPa等静压成型，得到IGZO靶材素坯；（4）将IGZO靶材素坯进行烧结，以0.5℃min升温速率，升温至620℃，使IGZO靶材素坯完全脱脂；再以1.2℃min升温速率，升温到850℃，氧气氛围，保温8h，再以1.2℃min升温速率，升温到1450℃，氧气氛围，保温2.5h；（5）将炉内的温度以4℃min降至920℃后，随炉冷却，停止通入氧气，最后室温出炉，得到IGZO靶材；IGZO混合浆料固含量为57%；造粒粉的直径为0.5-1μm；Ga2O3、ZnO、In2O3的纯度≥99.999%；氧化镧、氧化铈、氧化钕的纯度≥99.99%；分散剂为聚乙烯吡络烷酮，所述分散剂的添加量为混合粉体质量的4%；粘结剂为质量比1.4:1:0.4的聚乙烯醇、聚丙烯酸钠和聚乙二醇复配；粘结剂的添加量为混合粉体质量的8％；消泡剂为正丁醇。
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