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Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器 

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申请/专利权人:合肥格易集成电路有限公司;兆易创新科技集团股份有限公司;上海格易电子有限公司

摘要:本发明公开了一种NandFlash的电压控制方法及非易失性存储器。该方法包括:监测到开始对选中存储单元阵列的第一衬底放电时,控制电源给非选中存储单元阵列的第二衬底充电,使所述第二衬底获得第一电压;监测到开始对所述第一衬底充电时,基于所述第一电压对所述第一衬底充电,使所述第一衬底获得第二电压;在所述第二电压的基础上将所述第一衬底充电至目标电压。通过上述技术方案,预先利用电源给第二衬底充电,并在第一衬底需要充电时,利用第二衬底获得的电压给第一衬底充电,解决了直接用电源给第一衬底时速度较慢的问题,提高第一衬底的充电速度,从而提高对选中存储单元阵列擦除操作的速度。

主权项:1.一种NandFlash的电压控制方法,其特征在于,包括:监测到开始对选中存储单元阵列的第一衬底放电时,控制电源给非选中存储单元阵列的第二衬底充电,使所述第二衬底获得第一电压;监测到开始对所述第一衬底充电时,基于所述第一电压对所述第一衬底充电,使所述第一衬底获得第二电压;在所述第二电压的基础上将所述第一衬底充电至目标电压。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 合肥格易集成电路有限公司 兆易创新科技集团股份有限公司 上海格易电子有限公司 Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

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