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申请/专利权人：深圳市茵冠生物科技有限公司

摘要：本发明涉及一种提高间充质干细胞活率及分化潜能的培养方法，属于细胞培养技术领域。本发明通过负光刻胶光刻在硅片上制备微图案阵列形成一级印章，将正硅酸乙酯、去离子水和盐酸混合得到前驱体溶液，水浴加热后冷却得到水解液，将水解液倒入一级印章中，往水解液中加入端羟基硅油和表面活性剂，然后加入氨水和氨基硅烷偶联剂，置于恒温箱中静置反应得到硅溶胶改性PDMS基底，在硅溶胶改性PDMS基底上倒入一层氯化亚砜溶解好的聚乙二醇，加热蒸发溶剂，去离子水洗涤后取出一级印章，得到图案化培养表界面材料，制备好的表界面材料，置于常规的培养皿中，常规技术培养间充质干细胞，可有效提高间充质干细胞活率及分化潜能。

主权项：1.一种提高间充质干细胞活率及分化潜能的培养方法，其特征在于，所述培养方法包括以下步骤：1通过负光刻胶光刻在硅片上制备微图案阵列，形成一级印章；2制备图案化培养表界面材料；3制备间充质干细胞悬浮液；4将图案化培养表界面材料置于培养皿中，加入培养基，将间充质干细胞悬浮液涂布于图案化培养表界面材料表面，培养间充质干细胞；5待间充质干细胞融合度达到80-90％，弃去废旧培养基，进行体外诱导分化；步骤2所述制备图案化培养表界面材料具体包括以下步骤：S1.将正硅酸乙酯、去离子水和盐酸混合得到前驱体溶液，水浴加热后冷却至室温得到水解液；S2.将水解液倒入一级印章中，往水解液中加入端羟基硅油和表面活性剂，然后加入氨水和氨基硅烷偶联剂，置于恒温箱中静置反应得到硅溶胶改性PDMS基底；S3.在硅溶胶改性PDMS基底上倒入一层氯化亚砜溶解好的聚乙二醇，加热蒸发溶剂，去离子水洗涤后取出一级印章，得到图案化培养表界面材料；S1中所述正硅酸乙酯、去离子水和盐酸的摩尔比为1:3-6:3-5，所述水浴加热温度为40-70℃，所述水浴加热时间为1-3h；S2中所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵，所述氨水的浓度为2-5molL，所述水解液、端羟基硅油、表面活性剂、氨水和硅烷偶联剂的体积比为10:18-25:0.8-1.3:1-4:2-3，所述静置反应温度为45-60℃，所述静置反应时间为2-4h；S3中所述聚乙二醇质量占PDMS基底质量的20-30％。

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