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申请/专利权人：芯成半导体(开曼)有限公司
摘要：本发明涉及一种磁性存储器阵列，其具有在两个维度上与沟道选择器阵列电连接的源极平面。所述沟道选择器阵列可布置成行及列，其中所述行及所述列两者与源极平面电连接。例如磁性隧道结元件等的磁性存储器元件可与所述沟道选择器中的每一者电连接。所述源极平面可包含形成于半导体衬底的表面中的掺杂区并且也可包含形成于所述掺杂区上的导电层。通过消除为沟道选择器的个别行形成单独源极线的需要，此种平面化二维源极平面的使用允许数据密度大幅增加。
主权项：1.一种磁性存储器阵列，其包括：导电源极平面；竖直半导体沟道结构的阵列；及多个磁性存储器元件，所述磁性存储器元件中的每一者分别电连接所述竖直半导体沟道结构中的相应一者；其中所述竖直半导体沟道结构形成于所述导电源极平面上并在两个维度上与其连接；其中所述导电源极平面包括形成于半导体衬底的表面中的n掺杂区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯成半导体(开曼)有限公司 竖直选择器STT-MRAM架构
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