龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供了一种MIM电容器及其制造方法，MIM电容器的制造方法包括：提供一基底；形成金属下极板于所述基底上；对所述金属下极板进行非晶化处理，从而减小所述金属下极板的表面粗糙度；形成第一介质层于所述金属下极板上；形成金属上极板于所述第一介质层上。本发明的技术方案使得金属下极板的表面粗糙度得到减小，从而提高MIM电容器的与时间相关电介质击穿特性。
主权项：1.一种MIM电容器的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底；形成金属下极板于所述基底上；对所述金属下极板进行非晶化处理，从而减小所述金属下极板的表面粗糙度；形成第一介质层于所述金属下极板上；形成金属上极板于所述第一介质层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 MIM电容器及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号