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申请/专利权人：安建科技有限公司
摘要：沟槽网络中深沟槽和浅沟槽的形成方法及其半导体器件，本发明涉及于功率半导体器件的形成方法，为解决现有技术形成深沟槽和浅沟槽的不良，本发明首先在硬掩模的保护下形成深沟槽和浅沟槽，形成的深沟槽和浅沟槽连接处保留有起保护作用的过渡区域；然后继续刻蚀增加深沟槽和浅沟槽的宽度至芯片内部的深沟槽和浅沟槽相互连接，该步骤中过渡区域所在位置蚀刻后形成凸起过渡区。本发明降低了制造过程中光刻和沟槽刻蚀的工艺控制难度，提高了沟槽的均匀性和一致性。
主权项：1.一种沟槽网络中深沟槽和浅沟槽的形成方法，其特征在于，所述的形成方法为：首先在硬掩模的保护下，先后形成深沟槽和浅沟槽，形成的深沟槽和浅沟槽连接处保留有起保护作用的过渡区域；然后继续刻蚀增加深沟槽和浅沟槽的宽度至芯片内部的深沟槽和浅沟槽相互连接，该步骤中过渡区域所在位置蚀刻后形成凸起过渡区。
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百度查询： 安建科技有限公司 沟槽网络中深沟槽和浅沟槽的形成方法及其半导体器件
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