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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和位于衬底上的栅极结构，以垂直于栅极结构的延伸方向为横向；在栅极结构的侧壁上形成第一侧墙材料层；形成第一侧墙材料层后，刻蚀栅极结构两侧的衬底，形成沟槽；形成沟槽后，从横向上，对第一侧墙材料层进行减薄处理，形成第一侧墙层；在第一侧墙层露出的沟槽中形成源漏掺杂层。本发明实施例，从横向上，对第一侧墙材料层进行减薄处理，形成第一侧墙层，使得相邻栅极结构侧壁上第一侧墙层之间的距离变大，在采用外延生长法形成源漏掺杂层的过程中，反应气体更易进入沟槽中，提高了源漏掺杂层的形成质量，提高了沟道中载流子的迁移速率，有利于提高半导体结构的电学性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的栅极结构，以垂直于所述栅极结构的延伸方向为横向；在所述栅极结构的侧壁上形成第一侧墙材料层；形成所述第一侧墙材料层后，刻蚀所述栅极结构两侧的所述衬底，形成沟槽；形成所述沟槽后，从横向上，对所述第一侧墙材料层进行减薄处理，形成第一侧墙层；在所述第一侧墙层露出的所述沟槽中形成源漏掺杂层；在形成所述沟槽后，形成所述第一侧墙层前还包括：形成保形覆盖所述沟槽的种子层，所述种子层的材料与衬底的材料相同，采用选择性外延生长工艺或者分子束外延技术形成所述种子层；采用湿法刻蚀工艺对所述第一侧墙材料层进行减薄处理，形成第一侧墙层，所述湿法刻蚀工艺对所述第一侧墙材料层的被刻蚀速率大于所述种子层的被刻蚀速率。
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百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
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