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申请/专利权人:上海科技大学
摘要:本发明涉及微纳加工技术领域,特别是一种超薄、超高Tc、应力可控的氮化铌薄膜的制备方法。所述制备方法至少包括:在衬底上采用直流磁控溅射的方式外延生长氮化铌薄膜,其中,所述氮化铌薄膜的制备条件如下:氮气和氩气质量流量比为0%~60%、生长温度为室温~800℃、生长气压为1~10mTorr、生长功率为50~500W、生长时间为10~4300s。本发明提供的制备方法可同时获得超薄、超导转变温度Tc超高、超低应力、性能稳定的NbN薄膜,解决以往技术仅有单个指标满足条件的难题,以适用于高难度器件研制。
主权项:1.一种超薄、超高Tc、应力可控的氮化铌薄膜的制备方法,其特征在于,至少包括:在衬底上采用直流磁控溅射的方式外延生长氮化铌薄膜,其中,所述氮化铌薄膜的制备条件如下:氮气和氩气质量流量比为0%~60%、生长温度为室温~800℃、生长气压为1~10mTorr、生长功率为50~500W、生长时间为10~4300s。
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百度查询: 上海科技大学 一种超薄、超高Tc、应力可控的氮化铌薄膜的制备方法
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