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申请/专利权人：英诺赛科(苏州)半导体有限公司
摘要：一种氮化物基半导体器件，包括第一氮化物基半导体层，第二氮化物基半导体层和至少一个电极结构。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上，并具有比第一氮化物基半导体层大的带隙，从而形成异质结和与异质结相邻的二维电子气2DEG区域。至少一个电极结构设置在第二氮化物基半导体层上，且包括与第二氮化物基半导体层接触的掺杂的氮化硅层和设置在掺杂的氮化硅层上的电极。
主权项：1.一种氮化物基半导体器件，包括：第一氮化物基半导体层；第二氮化物基半导体层，其设置在所述第一氮化物基半导体层上并具有比所述第一氮化物基半导体层大的带隙，从而形成异质结和与所述异质结相邻的二维电子气2DEG区域；以及至少一个电极结构，其设置在所述第二氮化物基半导体层上，其中所述电极结构包括与所述第二氮化物基半导体层接触的掺杂的氮化硅层和设置在所述掺杂的氮化硅层上的电极。
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权利要求：
百度查询： 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 氮化物基半导体器件及其制造方法
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