龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及SGTMOS器件的制造方法，包括以下依次进行步骤：提供半导体层，刻蚀半导体层形成深沟槽结构；在深沟槽结构中制造屏蔽栅结构和将屏蔽栅结构与半导体层隔离开的第一氧化层；刻蚀去除屏蔽栅结构两侧顶部的第一氧化层形成填充空间；在填充空间的表面、半导体层的上表面形成极间氧化层；沉积控制栅多晶硅，使得控制栅多晶硅填充满带有极间氧化层的填充空间；在深沟槽结构两侧的半导体层的顶部形成第一导电类型掺杂区，第一导电类型掺杂区的上部反型形成第二导电类型掺区；回刻蚀控制栅多晶硅形成控制栅结构，控制栅结构的上表面的高度超过第二导电类型掺杂区下表面的高度且低于屏蔽栅结构上表面的高度。
主权项：1.一种SGTMOS器件的制造方法，其特征在于，所述SGTMOS器件的制造方法包括以下依次进行步骤：提供半导体层，刻蚀所述半导体层形成深沟槽结构；在所述深沟槽结构中制造屏蔽栅结构和将所述屏蔽栅结构与半导体层隔离开的第一氧化层；所述屏蔽栅结构和所述第一氧化层填充满所述深沟槽结构；刻蚀去除所述屏蔽栅结构两侧顶部的第一氧化层形成填充空间；在所述填充空间的表面、所述半导体层的上表面形成极间氧化层；沉积控制栅多晶硅，使得所述控制栅多晶硅填充满带有所述极间氧化层的填充空间；进行离子注入，在所述深沟槽结构两侧的半导体层的顶部形成第一导电类型掺杂区，所述第一导电类型掺杂区的上部反型形成第二导电类型掺杂区；回刻蚀所述控制栅多晶硅形成控制栅结构，所述控制栅结构的上表面的高度超过所述第二导电类型掺杂区下表面的高度且低于所述屏蔽栅结构上表面的高度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 SGT MOS器件的制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号