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申请/专利权人：上海华虹集成电路有限责任公司
摘要：本发明公开了一种Flash内存加速方法,其基于ART，包括：步骤1，使用总线地址的高位进行路预测，根据路预测的判断结果访问相应的存储区；所述存储区包括ART缓冲区Buf、ART预取缓冲区Prebuf、ART缓存Cache和闪存；步骤2，根据CPU指令地址取指方式决定读取对象及对应的读出写入更新操作；步骤3，根据LRU算法淘汰缓存指令。本发明能在高频系统中提升内核工作效率，可直接从缓冲中取指，避免了访问存器的等待时间，降低了指令缺失访存的代价。
主权项：1.一种Flash内存加速方法,其基于ART，其特征在于，包括：步骤1，使用总线地址的高位进行路预测，根据路预测的判断结果访问相应的存储区；所述存储区包括ART缓冲区Buf、ART预取缓冲区Prebuf、ART缓存Cache和闪存；步骤2，根据CPU指令地址取指方式决定读取对象及对应的读出写入更新操作；步骤3，根据LRU算法淘汰缓存指令。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹集成电路有限责任公司 Flash内存加速方法及加速器
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