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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：本公开涉及存储器单元。存储器单元包括由绝缘导电壁横向界定的第一、第二和第三半导体区；覆盖所述第一、第二和第三半导体区的第一绝缘层；以及被设置为面向第一、第二和第三半导体区中的每一者的一部分的第二导电层。第一半导体区的第一顶部被第一导电类型掺杂并且面向第二导电层。第二半导体区包括第二顶部，第二顶部与第一绝缘层和第二导电层形成晶体管。第三半导体区的第三顶部被第二导电类型掺杂并且面向第二导电层。为了对存储器单元进行编程，在第一半导体区与第二导电层之间施加电场，并且在第三半导体区与第二导电层之间施加电场。
主权项：1.一种用于使用可编程存储器单元的方法，其中所述可编程存储器单元包括：由绝缘导电壁横向界定的第一半导体区、第二半导体区和第三半导体区，覆盖所述第一半导体区、所述第二半导体区和所述第三半导体区的第一绝缘层，以及面向所述第一半导体区、所述第二半导体区和所述第三半导体区中的每一者的一部分设置的第二导电层，所述第一半导体区的第一顶部掺杂有第一导电类型并且面向所述第二导电层设置，所述第二半导体区包括第二顶部，所述第二顶部与所述第一绝缘层和所述第二导电层形成晶体管，所述第三半导体区的第三顶部掺杂有第二导电类型并且面向所述第二导电层设置，其中所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述方法包括：通过在所述第一半导体区与所述第二导电层之间施加包括在5MVcm与10MVcm之间的电场来将第一值编程到所述可编程存储器单元中；以及通过在所述第三半导体区与所述第二导电层之间施加包括在5MVcm与10MVcm之间的电场来将第二值编程到所述可编程存储器单元中。
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