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申请/专利权人：南京大学
摘要：本发明公开一种可精准定位生长堆叠硅锗岛链纳米线的方法，包括获得金属催化液滴移动的引导沟槽；沉积至少一组a‑Ge前驱体和SiO2或者SiNx的叠层；垂直引导沟槽刻蚀所述叠层形成斜切面叠层结构；在引导沟槽的一端制备条状催化金属；利用还原性气体等离子体处理催化金属层，使其转变成为分离的金属纳米颗粒；在整个样品表面覆盖一层与所需生长Si纳米线匹配的a‑Si前驱体；在真空或气体氛围中进行退火处理，使催化金属纳米颗粒吸收a‑Si前驱体并沿着所述引导沟槽向a‑Si‑a‑Ge叠层的斜切面移动，并在催化金属颗粒后端形成晶态Si纳米线‑晶态SiGe岛‑晶态Si纳米线的三维结构。
主权项：1.一种可精准定位生长堆叠硅锗岛链纳米线的方法，其特征在于，包括以下几个步骤：第一步，在衬底上进行光刻或者电子束曝光，利用ICP或者RIE刻蚀工艺获得金属催化液滴移动的引导沟槽；第二步，利用PECVD或者PVD镀膜技术沉积至少一组a-Ge前驱体和SiO2或者SiNx的叠层结构；第三步，利用ICP或者RIE刻蚀技术，在垂直于所述引导沟槽的方向上刻蚀所述叠层结构，形成露出衬底的斜切面叠层结构；第四步：利用光刻工艺和蒸发或者溅射金属淀积工艺，在所述引导沟槽的一端，制备条状催化金属作为Si纳米线的生长起点；第五步：在高于催化金属熔点的温度下，利用还原性气体等离子体处理催化金属层，使其转变成为分离的金属纳米颗粒；第六步：利用PECVD、CVD或者PVD镀膜技术，在整个样品表面覆盖一层厚度与所需生长Si纳米线直径匹配的a-Si前驱体；第七步：在真空或气体氛围中进行退火处理，使催化金属纳米颗粒先自发吸收a-Si前驱体生长Si纳米线，并沿着所述引导沟槽向a-Si-a-Ge叠层的斜切面移动，催化金属颗粒在斜切面处自发吸收a-Si-a-Ge叠层，在其后端形成自发相分离的晶态SiGe岛，催化金属颗粒继续沿着引导沟槽吸收a-Si前驱体生长Si纳米线，最终形成至少一组晶态Si纳米线-自发相分离的晶态SiGe岛-晶态Si纳米线的的三维循环结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 一种可精准定位生长堆叠硅锗岛链纳米线的方法
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