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申请/专利权人：诺威量测设备公司
摘要：本发明涉及使用结合的XPS和XRF技术测定锗化硅厚度和组成。本发明具体描述了用于使用结合的XPS和XRF技术测定锗化硅厚度和组成的系统和途径。在实例中，用于表征锗化硅膜的方法包括产生X射线束。将样品定位于所述X射线束的路径中。收集通过用所述X射线束轰击所述样品产生的X射线光电子能谱XPS信号。还收集用所述X射线束轰击所述样品产生的X射线荧光XRF信号。由XRF信号或XPS信号或两者测定锗化硅膜的厚度或组成或两者。
主权项：1.一种用于表征锗化硅膜的方法，所述方法包括：产生X射线束；将样品定位于所述X射线束的路径中；收集通过用所述X射线束轰击所述样品产生的X射线光电子能谱XPS信号；收集通过用所述X射线束轰击所述样品产生的X射线荧光XRF信号；由XRF信号和XPS信号测定所述锗化硅膜的厚度；以及由XRF信号和XPS信号测定所述锗化硅膜的组成；其中，测定所述锗化硅膜的组成包括将所述XRF信号和所述XPS信号与相对于纯锗膜衡量XPSGe信号和XRFGe信号的预测强度的膜叠层模型相比较，将所述锗化硅膜的剩余部分限制至Si；其中，收集所述XPS信号和收集所述XRF信号包括在所述样品的50μm2计量区内收集；并且其中，所述样品是高产量生产中的产物晶圆；其中：测定所述锗化硅膜的厚度包括测定半导体设备的锗化硅沟道层的厚度，测定所述厚度和所述组成是使用膜叠层模型进行的，所述膜叠层模型包括第一沟道和第二沟道，其中，所述第一沟道代表所述锗在所述膜中的分数，并且所述第二沟道代表所述硅在所述膜中的分数；由XPS测量的强度由IGe和ISi表示，并且测量的XRF强度由IGeLα表示： 其中：f代表沟道锗化硅膜中沟道锗的分数，1-f表示沟道锗化硅膜中沟道硅的分数，K是相应的材料常数，A是穿过锗化硅膜的相应的衰减项，其取决于厚度t和等效衰减长度λ。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 诺威量测设备公司 使用结合的XPS和XRF技术测定锗化硅厚度和组成
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