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申请/专利权人：华南师范大学
摘要：本发明属于宽谱光探测领域，公开了一种基于石墨烯二碲化钨锗混维异质结的光电二极管及其制备方法和应用，该光电二极管的结构为石墨烯二碲化钨锗混维异质结。该光电二极管是先在Ge片上生长一层绝缘层薄膜，在绝缘层薄膜上刻蚀获得Ge窗口，在该窗口边缘两侧光刻显影电极图案并沉积金属得到源电极和漏电极，将WTe2纳米片转移到Ge窗口上，再将Gr纳米片转移至WTe2纳米片上形成GrWTe2Ge混维异质结，惰性气体条件下，在100～150℃退火处理制得。该光电二极管在532～2200nm波长范围内具有优异的自驱动光电响应性能，高光灵敏度和快速响应时间，可用于波段宽谱光电探测器或红外成像等领域。
主权项：1.一种基于石墨烯二碲化钨锗混维异质结的光电二极管，其特征在于，所述光电二极管是由石墨烯二碲化钨锗混维异质结、绝缘层、源电极和漏电极构成，异质结简写为GrWTe2Ge，所述GrWTe2Ge混维异质结是先在Ge衬底表面生长一层绝缘层薄膜，在Ge衬底中间位置刻蚀绝缘层获得Ge窗口，将WTe2纳米片转移到Ge窗口上，再将Gr纳米片转移至WTe2纳米片上形成；源电极和漏电极分布在Ge窗口边缘两侧，其中源电极与Ge衬底接触，而漏电极同时接触WTe2纳米片和Gr纳米片，Gr纳米片同时也与漏电极和WTe2纳米片接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南师范大学 一种基于石墨烯/二碲化钨/锗混维异质结的光电二极管及其制备方法和应用
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