龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种倒梯形锗硅的形成方法，包括：提供一半导体结构，包括衬底、阱区、栅极结构、侧墙及LDD注入区；于半导体结构的表面形成硬掩膜层，并对其进行刻蚀以漏出PMOS器件区的源漏区的衬底；对漏出的源漏区的衬底进行第一次刻蚀以形成第一沟槽，且第一沟槽的中间深度小于100nm；对第一沟槽继续进行第二次刻蚀以形成第二沟槽，使得第二沟槽以第一沟槽的中间位置作为分界分为连通的上部沟槽与下部沟槽；对第二沟槽进行原位预清洁以使得连通的上部沟槽与下部沟槽整体横截面呈倒梯形；于第二沟槽内形成锗硅外延层。通过本发明解决了现有的PMOS的运行速度较低的问题。
主权项：1.一种倒梯形锗硅的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体结构，其分为PMOS器件区及NMOS器件区，包括衬底、形成于所述衬底内的阱区、形成于所述衬底表面的栅极结构、形成于所述栅极结构两侧的侧墙及形成于所述衬底内且位于所述栅极结构两侧的LDD注入区；于所述半导体结构的表面形成硬掩膜层，并对其进行刻蚀以露出PMOS器件区的源漏区的衬底，其中，所述源漏区位于所述栅极结构的两侧；对露出的所述源漏区的衬底进行第一次刻蚀以形成第一沟槽，且所述第一沟槽的中间深度小于100nm，其中，所述中间深度为所述第一沟槽的中间位置处距离所述衬底表面的高度；对所述第一沟槽继续进行第二次刻蚀以形成第二沟槽，使得所述第二沟槽以所述第一沟槽的中间位置作为分界分为连通的上部沟槽与下部沟槽，其中，所述上部沟槽的横截面呈上窄下宽的梯形，所述下部沟槽的横截面呈倒梯形；对所述第二沟槽进行原位预清洁以使得所述上部沟槽与所述下部沟槽的整体横截面呈倒梯形；于所述第二沟槽内形成锗硅外延层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 倒梯形锗硅的形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号