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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本公开提供了硅基锗铅红外发光二极管及其制备方法，涉及硅基光电技术领域。硅基锗铅红外发光二极管，包括：硅衬底，设置有N区和P区，所述N区和所述P区分别位于所述硅衬底表面的不同区域且之间存在间隔；锗铅纳米片，设置在所述N区和所述P区之间，并与所述N区和所述P区相接触；氧化硅层，设置在具有所述锗铅纳米片的所述硅衬底上，并在所述氧化硅层上开设有窗口，所述窗口分别与所述N区和所述P区相接触；电极，设置在所述窗口内。
主权项：1.硅基锗铅红外发光二极管，其特征在于，包括：硅衬底，设置有N区和P区，所述N区和所述P区分别位于所述硅衬底表面的不同区域且之间存在间隔；锗铅纳米片，设置在所述N区和所述P区之间，并与所述N区和所述P区相接触；氧化硅层，设置在具有所述锗铅纳米片的所述硅衬底上，并在所述氧化硅层上开设有窗口，所述窗口分别与所述N区和所述P区相接触；电极，设置在所述窗口内。
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