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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，所述外延片包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层、非掺杂GaN层、n型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层；其中，所述n型半导体层包括由下至上依次层叠的C‑Si共掺杂含镓氮化物层、第一Si掺杂第二Si掺杂含镓氮化物层、BNMg掺杂AlScN层和SiN含镓氮化物层。实施本发明，可以提供足够的Si掺杂浓度，同时有助于减少线缺陷，阻挡和改变线位错向上扩展，进而使n型半导体层的晶体质量高，LED器件的亮度高，发光效率高。
主权项：1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层、非掺杂GaN层、n型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层；其中，所述n型半导体层包括由下至上依次层叠的C-Si共掺杂含镓氮化物层、第一Si掺杂第二Si掺杂含镓氮化物层、BNMg掺杂AlScN层和SiN含镓氮化物层。
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百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种发光二极管的外延片及其制备方法
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