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申请/专利权人：深圳技术大学
摘要：本发明公开了一种微腔调控的全彩阵列化硅基片上LED器件及其制备方法，该器件包括第二透明绝缘层、依次相接的硅基片、第一透明绝缘层、氮化硅波导单元、透光的第一电极层和填充单元；氮化硅波导单元包括至少三个沿水平方向间隔分布的氮化硅波导层；至少三个填充单元沿水平方向间隔排布，填充单元与氮化硅波导层的位置一一对应；每个填充单元包括依次相接的空穴注入层、空穴传输层、发射层、具有电子传输和或电子注入功能的功能层、第二电极层、不透光的第三电极层；空穴注入层与第一电极层相接，空穴注入层、空穴传输层、发射层和功能层被第二透明绝缘层包围；第二电极层厚度为10～140nm，第一电极层厚度为20～50nm，各个填充单元的第二电极层的厚度不相同。
主权项：1.一种微腔调控的全彩阵列化硅基片上LED器件，其特征在于，包括硅基片1、第一透明绝缘层21、氮化硅波导单元3、第一电极层41、填充单元50、第二透明绝缘层22；所述硅基片1、第一透明绝缘层21、氮化硅波导单元3、第一电极层41和填充单元50依次相接；所述氮化硅波导单元3包括至少三个沿水平方向间隔分布的氮化硅波导层31；所述填充单元50的数量为至少三个，至少三个所述填充单元50沿水平方向间隔排布，各个所述填充单元50与各个所述氮化硅波导层31的位置在竖直方向z上一一对应；每个所述填充单元50包括依次相接的空穴注入层5、空穴传输层6、发射层7、具有电子传输和或电子注入功能的功能层81、第二电极层42、第三电极层43；其中，所述空穴注入层5与所述第一电极层41相接，所述空穴注入层5、空穴传输层6、发射层7和功能层81被所述第二透明绝缘层22包围；所述第二透明绝缘层22上设有第一凹槽221，所述第一电极层41的部分通过所述第一凹槽221暴露出来；所述第一电极层41为透光电极层，所述第三电极层43为不透光电极层；所述第二电极层42的厚度为10～140nm，所述第一电极层41的厚度为20～50nm,各个所述填充单元50的所述第二电极层42的厚度不相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳技术大学 微腔调控的全彩阵列化硅基片上LED器件及其制备方法
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