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申请/专利权人：应用材料股份有限公司
摘要：本发明公开一种用于改善产生某些离子束且具体而言，锗及氩的束流的方法。已证实使用氩作为第二气体会改善锗烷的离子化，允许在不使用卤素的情况下形成具有足够束流的锗离子束。另外，已证实使用锗烷作为第二气体会改善氩离子束的束流。
主权项：1.一种产生锗离子束的方法，包括：将锗烷及氩引入至离子源中；离子化所述锗烷及所述氩以形成等离子体；以及自所述离子源提取锗离子以形成所述锗离子束，其中没有卤素气体被引入至所述离子源中，以及其中氩流速在0.5标准立方厘米分钟至2.0标准立方厘米分钟之间，其中锗烷流速在5.46标准立方厘米分钟至30标准立方厘米分钟之间，其中所述氩流速经选择使得所述离子源的效率大于4毫安千瓦，所述离子源的所述效率被定义为锗束流对施加至所述离子源的总功率的比率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料股份有限公司 产生锗离子束以及氩离子束的方法
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