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申请/专利权人：河南驭波科技有限公司

摘要：本发明公开了一种降低氟化镁晶体空位缺陷的方法，采用真空炉，真空炉内设置有支撑杆和加热器，所述支撑杆顶部设置有石墨托盘，所述支撑杆用于调节石墨托盘在真空炉内的高度，先切割清洗去除氟化镁晶体毛坯表面的杂质，随后在真空炉内的石墨托盘上用高纯度的氟化铅粉末包裹氟化镁晶体毛坯，随后通过真空和充入99.9999％的高纯氩气配合去除炉内杂质，接着向真空炉内充入CF4气体，进行补偿氟化镁晶体毛坯中的F‑离子空位；扩散过程结束后抽去炉内残余气体后取出氟化镁晶体。本发明处理成本低，在不会影响晶体的光学质量前提下，还能有效提高透过率和抗辐照性能。

主权项：1.一种降低氟化镁晶体空位缺陷的方法，其特征在于，采用真空炉，真空炉内设置有支撑杆和加热器，所述支撑杆顶部设置有石墨托盘，所述支撑杆用于调节石墨托盘在真空炉内的高度，包括以下步骤：步骤1）将氟化镁晶体定向切割成所需器件尺寸，得到氟化镁晶体毛坯，随后清洗去除氟化镁晶体毛坯表面加工过程中残留的杂质；步骤2）在真空炉内的石墨托盘上放置一层纯度99.99%以上的氟化铅粉末，然后将氟化镁晶体毛坯放置在氟化铅粉末上，氟化镁晶体毛坯上方和周边用同样纯度氟化铅粉末覆盖，通过调整加热器高度，保证氟化镁晶体毛坯和氟化铅粉末所处高度的温度梯度差小于0.5℃cm；步骤3）在室温条件下，将炉内真空抽至10-3Pa，开启升温程序，以20℃h的速率升温至300℃，然后向真空炉内充入99.9999%的高纯氩气，直至炉内外压力平衡，保持1小时以上后再次重复抽真空、充氩气的过程三次以上；步骤4）随后将炉内真空抽至10-5Pa以上，以20℃h的速率升温至500℃，保持10小时以上，接着向真空炉内充入CF4气体，保持2小时后再以20℃h的速率升温至950℃，恒温保持100小时以上，此时CF4气体会分解产生氟离子，补偿氟化镁晶体毛坯中的F-离子空位；步骤5）扩散过程结束后开始降温，以10℃h的速率降至室温，抽去炉内残余气体后取出氟化镁晶体;在步骤2）中，石墨托盘上放置的一层氟化铅粉末的厚度不小于5mm，相邻氟化镁晶体毛坯之间的间距不小于10mm；还包括一种方便定位的治具，治具包括摆放底板，摆放底板沿长度方向对应的两个侧边上均设置有立板，两个立板之间的摆放底板一侧边上设置有限位凸部，两个立板之间的摆放底板表面用于摆放氟化镁晶体毛坯，氟化镁晶体毛坯两侧均设置有间隔块，用于提供标准的间隔距离，治具还包括两个平行设置的固定梁和活动梁，固定梁和活动梁两端均通过连接板固定并形成框架结构，固定梁和活动梁上均设置有夹板，两个夹板配合夹持氟化镁晶体毛坯。

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