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申请/专利权人：桂林电子科技大学;北京大学重庆碳基集成电路研究院

摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种耐压碳纳米管场效应晶体管及其制备方法，器件包括衬底、绝缘介质层、碳纳米管有源层、源端接触层、栅介质层、金属栅、漏端接触层和可加电压场板，其中衬底、绝缘介质层、碳纳米管有源层、源端接触层、栅介质层和金属栅从下至上依次设置；本发明中通过将可加电压场板一部分覆盖在在漏端接触层上，一部分在碳纳米管有源层上，降低了漏端的电场强度，优化了电场分布，并通过外加电压实现对电场的调制。进一步的，本发明作为四端器件，除了源极、漏极、栅极可加电压电流之外，还有场板也可加电压以调制晶体管的耐受电压，并且将两块可加电压场板可以通过引线并联在一起，还可以实现两块场板的电压强度相等。

主权项：1.一种耐压碳纳米管场效应晶体管，其特征在于，包括衬底、绝缘介质层、碳纳米管有源层、源端接触层、栅介质层、金属栅、漏端接触层和可加电压场板，所述衬底、所述绝缘介质层、所述碳纳米管有源层、所述源端接触层、所述栅介质层和所述金属栅从下至上依次设置；所述源端接触层包括第一源端接触层和第二源端接触层，所述第一源端接触层和所述第二源端接触层相对设立，并设置在碳纳米管有源层上方的两端，所述漏端接触层设置在碳纳米管有源层上方的中间区域，且分别与所述第一源端接触层和所述第二源端接触层隔开；所述栅介质层包括第一栅介质层和第二栅介质层，所述第一栅介质层呈向下凹型设置，两端分别搭设在所述第一源端接触层和所述漏端接触层之上，中部设置在所述第一源端接触层和所述漏端接触层之间的区域，与所述碳纳米管有源层紧紧贴合；所述第二栅介质层与所述第一栅介质层相似设置，两端搭设在所述第二源端接触层和所述漏端接触层之上，中部设置在所述第二源端接触层和所述漏端接触层之间的区域；所述金属栅包括第一金属栅和第二金属栅，所述第一金属栅设置在所述第一源端接触层和所述漏端接触层之间的区域，所述第二金属栅设置在所述第二源端接触层和所述漏端接触层之间的区域，第一金属栅和第二金属栅的栅脚均设置在栅介质层上；所述可加电压场板包括第一可加电压场板和第二可加电压场板，所述第一可加电压场板和所述第二可加电压场板分别设置在第一栅介质层和第二栅介质层之上且位于漏端接触层与碳纳米管有源层两边接触边缘上。

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